Investigación

Una búsqueda se suma al registro de aspirantes a becas CONICET

Miércoles 20 de abril de 2016 / Actualizado el miércoles 15 de junio de 2016

Esta semana se publica una búsqueda de becario doctoral en el IFIS Litoral. Este registro será actualizado cada semana hasta el cierre de la convocatoria 2016.

Una nueva búsqueda se suma al registro único de aspirantes a becas doctorales y posdoctorales de la Universidad Nacional del Litoral (UNL), abierto con el fin de difundir las convocatorias que se realizan en las Facultades y en los institutos de doble dependencia UNL-CONICET.

En esta oportunidad se trata de una convocatoria realizada por el Instituto de Física del Litoral (IFIS), de doble dependencia UNL-CONICET.

Los interesados en registrarse como aspirantes deberán ponerse en contacto con los institutos correspondientes o las facultades que participan de esta convocatoria y que aparecen en el listado completo que figura aquí.

Este registro permanecerá vigente y actualizado hasta completar el período de la convocatoria 2016. Para enviar nuevos pedidos de becarios, los interesados se pueden contactar con la Secretaría de Ciencia y Técnica de la UNL o por mail a lchirinos@unl.edu.ar

El pedido recibido esta semana es:

1. Instituto de Física del Litoral (IFIS)

Título: Deposición y caracterización de silicio policristalino en láminas delgadas, y desarrollo de celdas solares basadas en este material

Plan de Trabajo: La luz solar provee por lejos la mayor fuente de energía sobre la Tierra, ya que la energía solar que llega a la Tierra en una hora casi iguala a la consumida por la humanidad en un año. La tecnología más exitosa para aprovechar este recurso es la fotovoltaica, la cual está creciendo a un ritmo sorprendente de entre 30 y 70 % cada año.

Esta beca se enmarca dentro de un proyecto general cuyo objetivo a largo plazo es la obtención de una celda solar de película delgada como fuente renovable de energía. Dentro de este contexto, el objetivo específico será la producción y estudio de láminas delgadas de silicio policristalino, obtenidas por dos caminos posibles. Uno de ellos es la deposición del material amorfo y su posterior cristalización con procesos de baja temperatura. Para la obtención del material amorfo se cuenta también con dos alternativas: el método de plasma-CVD, que da lugar a un material con un alto contenido de hidrógeno, o el método de sputtering, que da un material libre de hidrógeno. El estudio de las diferencias entre la cristalización de ambos materiales será uno de los temas de trabajo durante esta beca. El otro camino es la deposición del material policristalino por procesos de CVD térmico. En todos los casos se buscará obtener un material con una baja densidad de defectos, que no introduzca pérdidas de portadores por recombinación.

Una parte importante de esta beca la constituye el desarrollo de nuevos métodos de caracterización de materiales, o el perfeccionamiento de métodos ya existentes. Se prestará especial atención a los métodos basados en hacer interferir dos haces de luz para crear una red fotogenerada de portadores.

Requisitos: ser Licenciado/a en Física, en Materiales o en Química, Ingeniero/a en Materiales o en Química, u otra carrera afín.

Lugar de realización: Laboratorio de Física de Semiconductores – Instituto de Física del Litoral (IFIS-Litoral).

Contacto: Dr. Javier A. Schmidt – Inv. Independiente CONICET – javier.schmidt@santafe-conicet.gov.ar

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